2022年國慶伊始，還處于襁褓中的中國大陸存儲芯片產業遭受到美國政府的組合拳精準封鎖打擊。

首先是美國商務部（BIS）禁止美國供應商向中國大陸生產DRAM和3D NAND存儲芯片的廠商提供生產設備。美國供應商向中國大陸DRAM和3D NAND存儲芯片生產商提供18nm及以下DRAM芯片、128層及以上3D NAND閃存芯片的設備進行管制，出口此類芯片制造設備必須經過嚴格的審查，獲得許可證后，方可對外出口。第二是美國商務部出臺了一份“未經核實的名單”，31家中國企業進入名單，長江存儲也赫然在列。

盡管就程序而言，只要取得許可證即可放行出貨，但美國商務部也強調，針對中國大陸半導體業者向美國供應商采購設備而言，美國商務部將對申請案采取“推定禁止Presumption of denial”原則，亦即若非有證據證明交易行為不會對美國國家安全及外交政策產生不利影響，否則將一律拒絕發放許可證，此舉無疑將大大提高長江存儲、合肥長鑫未來向美國采購設備取得許可證的難度。同時阻礙中國存儲芯片企業和全球業界的正常技術交流，無論是供應端還是銷售端都帶來了嚴重影響，無疑將中國存儲產業推向了“至暗時刻”。

美國濫用科技霸權，限制中國存儲芯片技術繼續向前迭代，看似留有一口氣，實則會將剛剛起步的中國存儲產業扼殺在搖籃里。不同于其他邏輯產品還有成熟制程的市場可言，存儲是一個對規模和技術迭代周期敏感度極高的產業，技術和規模決定了成本，沒有了成本優勢就等于把市場拱手讓給了競爭對手。這樣下去，未來中國存儲產業可能將淪為日本DRAM產業一樣的命運：徹底滅絕。

襁褓中的中國存儲，動了誰的奶酪？

存儲芯片不僅大量應用于智能手機、平板電腦、PC等產品之中，而且隨著社會進入云計算、大數據時代，存儲芯片已經成為關系到下一代信息技術成敗的戰略性新興產業。存儲芯片關乎國家的信息安全，信息技術產業鏈安全，乃至未來更高階的人工智能的發展。近年來，信息存儲安全事件頻發，信息存儲安全一旦受到威脅，將危害到黨政軍、石油、化工、核能、金融等所有行業的發展，是國家安全整體戰略的重要環節。基于自主可控的需求才是政策強推的根本原因。

目前中國大陸相關技術積累薄弱，自給能力基本為零，完全失去控制能力。在2014年發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》中，特別指出要發展新型存儲等關鍵芯片產業，搶占未來發展的制高點。在關鍵核心技術國產替代浪潮的推動下，中國大陸迎難而上，開啟對存儲芯片的戰略布局，力爭在這一高端產業上有所作為。

中國大陸進入存儲芯片產業的考量有三，一是市場規模足夠龐大，二是中國大陸沒有市場價格發言權，三是信息安全戰略。就國家層面來講，如何切入該行業，切入的力度和規模有多大，這需要有一個清晰的產業定位。

2016年是中國大陸存儲芯片產業發展的元年，從2月到7月，中國大陸三大存儲芯片公司晉華集成、合肥長鑫和長江存儲相繼成立。2019年是中國大陸存儲芯片產業化元年，長江存儲32層3D NAND 閃存芯片實現量產，并宣布64層256Gb TLC 3D NAND閃存芯片投產；合肥長鑫宣布首個19納米工藝制造的8Gb DDR4產品。

正是由于長江存儲和合肥長鑫的努力，國產內存和國產固態硬盤的問世，打破了海外巨頭公司的壟斷，從而讓消費者享受了更多實惠。

之前有報道稱，蘋果正在考慮在iPhone 14手機中選用長江存儲的3D NAND閃存芯片，證明了中國大陸本土公司在存儲芯片產業化方面的實力。

關于蘋果選用長江存儲3D NAND閃存芯片的消息傳出后，美國多名參議員認為，從長江存儲采購3D NAND閃存芯片將會對蘋果的全球數字供應鏈帶來重大的隱私安全漏洞，要求對此交易進行國家安全審查，防止其對美國經濟和國家安全構成威脅。由于越來越嚴格的管控，和美國國內輿論的雙重控制下，讓蘋果不得不改變采購計劃，而且連美國國內各個相關企業的供應和采購計劃都必須做出改變。而這種改變，必定是海外存儲芯片巨頭所希望看到的。畢竟長江存儲作為后起之秀，在激烈的市場競爭中不斷站穩腳跟，勢必會沖擊海外巨頭的奶酪。

中國大陸存儲芯片產業如何走出至暗時刻

中國大陸是存儲芯片的消耗大國，我國每年芯片進口逾3000億美元，其中存儲芯片占30%以上，消耗了全球接近50%的存儲器產能。在沒有長江存儲和合肥長鑫的年代，美國美光（Micron）、日本鎧俠（KIOXIA）、韓國三星（Samsung）及SK海力士（SK Hynix）徹底掌握了存儲芯片的定價權，肆意漲價行為已經屢見不鮮。

美國政府將蘋果采購長江存儲的3D NAND閃存芯片提高至國家安全問題，如果長江存儲和合肥長鑫真的就此發展停滯甚至倒下，那么我國的信息安全如何得到保障？我國供應鏈穩定不被隨時“卡脖子”如何保障？未來產業鏈的可持續發展如何保障?

1986年日本廠商在全球半導體市場所占份額超過50%，在世界DRAM市場所占的份額達到了80%。但由于未能把握消費級PC時代，加上美國通過廣場協議以及日美半導體協定的限制和韓國的強勢沖擊，日本半導體產業獲利能力下降，市占份額急速下滑，走向了衰敗的開始，今天日本半導體廠商在全球半導體市場所占份額僅僅約10%。

目前，在美國無底線的行動下，中國大陸集成電路產業發展的良好形勢沒有最壞，只有更壞。中國大陸存儲芯片產業已經乃至中國大陸芯片產業已經面臨至暗時刻，我們如何才能吸取他人的經驗教訓，不重蹈覆轍？

面對外部復雜的環境，我們絕對不能放松警惕。我們要拋棄一切幻想，行動起來，以更加開放的態度繼續促進跨全球供應鏈的合作。同時企業自身繼續頑強拼搏，政府要引導產業鏈上下游加強聯動，保護好中國大陸芯片產業鏈的基本面。

為此必須實施技術創新、自主研發、自主生產的國家戰略。對此我們仍要不斷堅持產業升級，不能因為限制而放棄發展；不斷提升研發投入，攻克“卡脖子”技術，早日走出一條自立自強的發展道路。

在戰略層面，要中央統籌，整合各方資源。首先大力招募高端技術人才，通過技術引進+自主開發，在引進、吸收現有的成熟技術基礎上，集成創新實現自主開發，逐步追趕先進工藝，直到超越；其次積極布局新型存儲器技術研究和開發，對目前的幾個新技術包括RRAM、MRAM、PRAM等均應投入資金和人才研究，而不要停留在討論那種技術未來可能勝出。只要能量產，總有用武之地。

在政策方面，由政府引導積極推進國產化戰略，加大信息產業整機和芯片的國產化率，真正實現安全可控。通過稅收調控，引導和鼓勵存儲器產業的投融資，構建良好的產業環境。

在資金層面，必需堅持持續、長期、大量的投資。如果我國定位于超越第一集團，扮演市場的領導者角色，需要達到30%左右的市場份額。考慮現有技術的授權和吸收，生產技術的更新換代，新技術的研究和開發，總投資應該是1萬億元甚至更多，并且這個投資是連續的、長期的。

在市場方面，國內的市場非常巨大，每年本地市場最少要消耗近1000億美元的存儲芯片。在如此巨大的市場推動下，能更好的發揮上下游的優勢，改變目前存儲芯片國外壟斷造成的被動局面。

不要以為美國還給一口氣讓我們發展成熟工藝，在中國存儲的生死存亡的關鍵時刻，我們更要摒棄幻想，精誠團結，沉下心來，加強自主研發，走出一條中國自主的存儲芯片發展之路。

沒有一個冬天不可逾越

事實上，中國大陸半導體產業一直是在凜冽的寒冬中帶著“枷鎖”頑強發展，從1949年的巴統到1996年瓦森納條約，美國及其盟國一直在阻止中國大陸從海外獲取半導體集成電路技術和先進產品，但這70多年來，中國大陸半導體集成電路企業和產業各界人士從未因此卻步，仍然在孜孜以求，頑強奮斗，讓中國半導體集成電路產業在世界上占有一席之地。

現在的我們依舊如此，知恥而后勇，相信未來中國大陸芯片產業會砥礪前行，不斷追求芯片頂峰。

走在江南小城的街道的冷風里，突然想起《南方周末》2009年新年獻詞的標題“沒有一個冬天不可逾越”。因為寒冷，我們才更向陽；因為面臨威脅，我們才格外珍惜。

長江存儲加油！合肥長鑫加油！中國存儲產業加油！

請堅信，沒有一個冬天是不可逾越的！